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基本信息
- 成果类型 高等院校
- 委托机构 西安电子科技大学
- 成果持有方 西安电子科技大学
- 行业领域
- 项目名称 基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
- 知识产权 发明专利
- 项目简介 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法,主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5);该本征吸收层(5)中间区域开有窗口,窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1),窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2),本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4),P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高,利于集成,抗辐射型好,可用于核能中对γ射线的探测。
交易信息
- 意向交易额 面议
- 挂牌时间 2020/10/10
- 委托机构 西安电子科技大学
- 联系人姓名 王小刚
- 联系人电话 15802954800
- 联系人邮箱 745490733@qq.com
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