登录/注册
您当前的位置:成果库 > 基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器

基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器

2352019/10/10
基本信息
  • 成果类型 高等院校
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 成果持有方 西安电子科技大学
  • 行业领域
  • 项目名称 基于碳化硅PIN二极管结构的γ辐照闪烁体探测器
  • 知识产权 发明专利
  • 项目简介 本发明公开了一种基于碳化硅PIN二极管结构的γ射线闪烁体探测器及其制作方法,主要解决现有技术探测率低、不利于集成、抗辐射性差的问题。本发明的碳化硅PIN二极管型γ射线探测器自下而上包括N型欧姆接触电极(8)、N型SiC衬底(7)、N型缓冲层(6)、掺杂浓本征吸收层(5);该本征吸收层(5)中间区域开有窗口,窗口内埋入掺铈溴化镧闪烁体(1),窗口内部区域及窗口上方淀积有一层SiO2反射层(2),本征吸收层(5)两侧上方为P+薄层(4),P+薄层(4)上方为P型欧姆接触电极(3)。该γ射线探测器探测率高,利于集成,抗辐射型好,可用于核能中对γ射线的探测。
项目咨询
查看更多咨询
交易信息
  • 意向交易额 面议
  • 挂牌时间 2020/10/10
  • 委托机构 西安电子科技大学
  • 联系人姓名 王小刚
  • 联系人电话 15802954800
  • 联系人邮箱 745490733@qq.com
  • 分享至:

地址:中国·西安 太白南路2号 西安电子科技大学 邮编:710071 电话&传真:029-88202821

版权所有:西安电子科技大学工程技术研究院有限公司陕ICP备17012907号